Технические характеристики
    Измеритель параметров мощных транзисторов и диодов Л2-69 (Л269, Л 2 69, Л-2-69, Л 269, Л-269, Л2 69)

    Измеритель параметров мощных транзисторов и диодов Л2-69 предназначен для измерения и контроля статических параметров мощных транзисторов и диодов.
    Применяется для входного технологического контроля в лабораторных и цеховых условиях.
    Измеритель параметров мощных транзисторов и диодов Л2-69 может работать как самостоятельный прибор или в составе многопостовой измерительной системы с управлением от ЭВМ посредством КОП.
    Заменяет прибор Л2-42 по сравнению с которым имеет расширенные пределы измерения, более высокие режимные напряжения и токи, возможность измерения обратного тока и прямого напряжения диодов, повышенную производительность измерений, цифровую индикацию, встроенные средства автоматизации, возможность подключения к КОП.
 
    Технические характеристики приборов измерители параметров мощных транзисторов и диодов Л2-69:
 
    Пределы измерения:
     - статистического коэффициента передачи по току h21э+I5 - 9990 обратных токов Iкбо, Iэбо. начального тока Iк мас транзисторов;
     - обратного тока диодов - 10-7А-10-1А;
     - напряжений насыщения Uбэнас, Uкэнач прямого напряжения диодов - 0,05В-10В;
    Пределы измерения модуля коэффициента передачи по току |h21э|1 прибора измеритель параметров мощных транзисторов и диодов Л2-69 - 32;
    Погрешность измерений - 5%;
    Режимные напряжения - 0,5В-200В;
    Режимные токи прибора измеритель параметров мощных транзисторов и диодов Л2-69 - 0,1А-50А;
    Потребляемая мощность - 300В·А;
    Габариты - 480X488X175мм (2 блока);
    Масса прибора измеритель параметров мощных транзисторов и диодов Л2-69 - 45кг.
Год 1999